研究表明，阻碍国内半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。原始创新即从无到有的创新过程，其特点是投入大、周期长。以SiC为例，其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。然而生长SiC晶体难度很大，虽然经过了数十年的研究发展，目前为止仍只有美国的Cree公司、德国的SiCrystal公司和日本的新日铁公司等少数几家公司掌握了SiC的生长技术，能够生产出较好的产品，但离真正的大规模产业化应用也还有较大的距离。反观国内，新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以容忍长期“只投入，不产出”的现状，因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰，是实现产业化的一大桎梏。 CMIC认为，对于第三代半导体材料这样需长期投入的产业，我们应该早早做好打持久战的准备，只有在持续的关注和投入下，大规模商业化方才有可能实现...[详细] |
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2014年的半导体领域，中国首次实现碳化硅大功率器件批量生产，突破了美、欧、日为主导的材料限制。业内专家对此评价颇高，认为这一突破有望缓解中国的能源危机。事实上，随着第三代半导体材料成为全球半导体研究的前沿和热点，我国在半导体材料发光器件、微波功率器件等关键研究领域正迎头赶上，甚至开始试产、试用，然而与国外同行相比，差距犹存。因此，CMIC认为，我国碳化硅材料的进步固然可喜，但难掩产业整体落后的尴尬。 CMIC认为，在此内外交困的情况下，国内半导体企业亟需抱团发展，强化自身以抵御外部竞争。2015年初，中国电谷第三代半导体产业技术创新战略联盟成立，该联盟聚集了第三代半导体材料的所有相关企业、科研院所及高校，是整体产业共赢共荣发展的有益尝试。一方面，该联盟可促进其中成员以强带弱，共同发展；另一方面，联盟可在相关技术与产品的研究、开发、生产、制造、服务等方面形成有效互动，实现联合攻关，增强整体实力...[详细] |
