【CMIC讯】因优势明显，第三代半导体材料在光电器件、高频大功率、高温电子器件等方面的应用非常广泛，这其中以SiC、GaN的研发水平最为成熟。以SiC为例，世界范围内，美、日、俄以及西欧等国研发起始较早，研发水平比国内更为成熟。
 
    国外对SiC的研究早在上世纪五十年代末和六十年代初就已开始。到了八十年代，美国海军研究局和国家宇航局与北卡罗来纳州大学签订了开发SiC材料和器件的合同，并促成了在1987年建立专门研究SiC半导体的Gree公司。九十年代初，美国国防部和能源部都把SiC集成电路列为重点项目，并从此开展了有关SiC材料和器件的系统研究，取得很大进展。GaN在宽禁带半导体中的地位与SiC不相上下。自1993年一家日本公司研制出第一支蓝光发光管后，GaN材料引起了人们的兴趣。1995年，GaN蓝光LED实现了商业化，至1997年其市场份额已达到1.43亿美元。目前，日本、美国纷纷投入人力物力，积极进行GaN的开发研究，在市场上极具竞争优势。
 
    而国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，和国外相比水平较低。研究表明，阻碍国内半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。原始创新即从无到有的创新过程，其特点是投入大、周期长。以SiC为例，其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。然而生长SiC晶体难度很大，虽然经过了数十年的研究发展，目前为止仍只有美国的Cree公司、德国的SiCrystal公司和日本的新日铁公司等少数几家公司掌握了SiC的生长技术，能够生产出较好的产品，但离真正的大规模产业化应用也还有较大的距离。反观国内，新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以容忍长期“只投入，不产出”的现状，因此，以第三代半导体材料为代表的新材料原始创新举步维艰，是实现产业化的一大桎梏。CMIC认为，对于第三代半导体材料这样需长期投入的产业，我们应该早早做好打持久战的准备，只有在持续的关注和投入下，大规模商业化方才有可能实现。

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