在原始创新方面：投入大、周期长，让人望而却步

    所谓原始创新，通俗的理解就是从无到有的创新过程。新材料产品的原始创新具有投入大、周期长的特点，没有长时间的持续投入，很难开发出稳定的产品。以第三代半导体材料SiC为例，其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。然而生长SiC晶体难度很大，虽然已经经过了数十年的研究发展，目前为止也只有美国的Cree公司、德国的SiCrystal公司和日本的新日铁公司等少数几家公司掌握了SiC的生长技术，能够生产出较好的产品，但离真正的大规模产业化应用也还有较大的距离。而国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以容忍长期“只投入，不产出”的局面，因此，新材料的原始创新举步维艰，让人望而却步。

    在集成创新方面：知识产权意识淡薄，难以实现集成应用

    所谓集成创新，即对各个创新要素和创新内容进行选择、优化和系统集成，很多新材料的产生都是由集成创新而来。我国在新材料领域有一些技术研发领先于发达国家，但由于缺乏知识产权意识，没有注重保护，导致集成应用时受到限制。以稀土永磁材料为例，因其具备优异的磁性能，被广泛应用于机械、电子和医疗等领域。我国早在上世纪90年代初就开始应用气流磨设备用于钕铁硼稀土永磁材料的制粉工序，但没有在美国等国家申请相关专利；而日立金属在该领域分别于2001年5月和2002年7月在美国申请了两项专利，其优先权可追溯到2000年5月。尽管国内很多稀土永磁材料企业的技术水平和生产成本都具有足够的竞争优势，也有证据表明从时间上讲并没有侵犯日立金属的专利权，但就是因为没有申请专利，很多客户不敢购买他们的产品。目前，中国稀土永磁联盟成员企业正积极筹备与日立金属在美国打专利官司。就算胜诉，中国的稀土永磁材料企业也已付出了沉重的代价，如果当年早些申请专利，何须如此？

    在消化吸收再创新方面：风险高，无人愿为国产材料“试车”

    消化吸收再创新也是新材料领域常用的创新形式，即利用各种引进的技术资源，在消化吸收基础上对新材料产品进行改进提升。如前所述，中国的很多关键材料都需要依赖进口，但依靠消化吸收再创新，国产材料的性能也在不断提高，有些产品已经足以替代进口材料。以稀有金属靶材为例，可以广泛应用于集成电路、平板显示等领域。国内的相关生产企业在大尺寸的稀有金属靶材产品开发上落后一筹，但一些小尺寸、低代线靶材产品已经可以满足用户需求。然而在没有成功案例的情况下，即使国产材料的性能已经完全达到进口产品的标准，又有几家下游用户企业甘愿冒险，从小试、中试再到批量应用国产新材料呢？而对于国产新材料，不在最终产品上进行推广应用，又怎么知道性能是否完全达到要求呢？由此陷入了两难的境地。

(责任编辑：紫叶)