报告简介

报告目录

第一章 氮化镓材料及器件概述
1.1 氮化镓材料的重要性
1.2 氮化镓基器件及应用领域
1.3 氮化镓基LED技术的发展
1.4 氮化镓在其他领域的应用

第二章 氮化镓政策资源
2.1 美国
2.1.1 美国半导体照明计划
2.1.2 美国“能源之星”标准
2.2 日本“21世纪光计划”路线
2.3 韩国半导体照明开发计划
2.4 欧盟“彩虹计划”
2.5 台湾“次世纪照明光源开发计划”
2.6 中国
2.6.1 半导体照明工程的启动
2.6.2 国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）
2.6.3 “十一五”期间半导体照明工程项目
2.6.3 “十城万盏”
2.6.4 半导体照明节能产业发展意见

第三章 氮化镓材料及器件工艺技术现状及进展
3.1 氮化镓晶体
3.2 HVPE法
3.2.1 技术概述
3.2.2 基材的选择
3.2.3 商业化技术现状
3.3 其他GAN单晶生长技术
3.3.1 氨热法
3.3.2 钠融法
3.3.3 高压氮气溶液法
3.4 氮化镓外延生长工艺
3.5 我国氮化镓研发及产业化
3.6 GAN器件工艺技术提升
3.6.1 GaN基LED技术进展
3.6.2 GaN基HEMT研究内容及进展

第四章 氮化镓应用领域市场分析
4.1 全球氮化镓光电子市场组成与规模
4.1.2 氮化镓基LED市场
4.1.2 激光器LD市场
4.2 全球氮化镓光电探测器市场
4.3 氮化镓微电子市场现状与发展
4.3.1 氮化镓射频市场
4.3.2 氮化镓肖特基二极管市场
4.4 全球LED及相关市场领域现状分析
4.4.1 全球LED产业构成
4.4.2 LED显示
4.4.3 LED照明领域
4.5 全球GAN基LED生产企业现状分析

第五章 我国氮化镓基LED市场与产业现状与发展
5.1 我国发光二极管（LED）产业发展现状
5.2 我国氮化镓基发光二极管（LED）芯片市场供需与产能现状
5.3 我国氮化镓基发光二极管（LED）产业格局及现状
5.4 我国氮化镓基发光二极管（LED）厂商现状

第六章 氮化镓材料相关产业状况
6.1 金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）设备
6.1.1 概述
6.1.2 氮化镓MOCVD市场现状
6.1.3 我国MOCVD研发及生产现状
6.1.4 MOCVD设备生产厂商
6.2 分子束外延（MBE）设备
6.2.1 分子束外延（MBE）设备概述
6.2.2 分子束外延（MBE）设备市场现状
6.2.3 分子束外延（MBE）设备生产厂家
6.3 刻蚀（ETCH）设备
6.3.1 刻蚀（Etch）概述
6.3.2 刻蚀（Etch）设备生产厂家
6.4 氮化镓衬底材料
6.4.1 氮化镓衬底材料的选择
6.4.2 氮化镓衬底材料产业发展现状
6.4.3 氮化镓衬底材料的生产厂家
6.5 LED用荧光粉
6.5.1 LED照明用荧光粉的发展
6.5.2 白光LED荧光粉市场与产业现状
6.5.3 我国白光发光二极管（LED）用荧光粉产业现状
6.5.4 白光发光二极管（LED）荧光粉专利所属情况
6.5.5 白光荧光粉厂商现状

第七章 氮化镓投资机遇分析
7.1 氮化镓基LED投资环境分析
7.1.1 产业特点分析
7.1.2 不利因素及对策
7.2 氮化镓相关投资热点分析
7.3 氮化镓光电子产业链相关投资项目分析

附录1：境外半导体化合物相关企业
附录2：国内半导体照明重点企业名录
附录3：境外半导体照明重点企业名录

调研报告中图、表目录：
图1-1：半导体化合物
图1-2：GaN MSM 探测器结构示意图
图1-3：不同衬底材料蓝紫色氮化镓激光芯片的比较
图1-4：氮化镓HEMT结构
图2-1：日本“21世纪光计划”路线图
图2-2：韩国GaN发展计划
图3-1：氮化镓基材料和其他一些半导体材料的禁带宽度和晶格常数的关系
图3-2：住友电工DEEP方法
图3-3：Aixtron垂直HVPE设备参数及结构
图3-4：双气流MOCVD生长GaN装置
图3-5：国内产学研结合企业情况
图3-6：欧司朗Golden DRAGON Oval Plus LED产品结构
图3-7：日本SCIVAX公司刻蚀技术
图3-8：三菱化学 m面GaN技术
图3-9：不同出光方式的GaN基芯片结构
图3-10：欧司朗的Orbeos OLED面光源
图4-1：氮化镓市场构成
图4-2：全球氮化镓市场规模
图4-3：全球氮化镓产业布局
图4-4：氮化镓激光器市场变化
图4-5：氮化镓射频市场组成
图4-6：2001~2012年全球LED市场规模
图4-7：2007年~2013全球 LED背光模组是市场产值及预测
图4-8：2007年~2013全球 LED背光模组是市场构成
图4-9：2006年~2012年全球LED显示屏产值统计
图4-10：2006年~2009年国内LED显示屏产值统计
图4-11：各国（地区）禁用白炽灯的时间表
图4-12：2007-2014年期间各种灯具价格变化的趋势
图4-13：世界照明产品产值统计
图4-14：世界光源市场组成
图4-15：世界LED路灯的市场占有率及增长率统计与预测
图4-16：2009年全世界路灯市场分布情况
图4-17：2005年~2010年全球车用LED市场规模统计及预测
图4-18：2005~2009年Cree公司销售额情况
图4-19：1996~2010年Nichia销售额情况及预测
图4-20：2004~2010年首尔半导体成销售额预估
图4-21：2004~2009年丰田合成销售额情况
图4-22：美国SemiLEDs 产品型号说明
图5-1：我国2006~2009年LED芯片市场变化
图5-2：我国2000年~2009年LED封装产量变化
图5-3：我国2008年高亮LED 应用市场规模预测
图5-4：我国2009年高亮LED 应用市场规模格局
图5-5：我国2009年LED应用市场规模
图5-6：2003~2009年国内氮化镓芯片产能统计
图5-7：2006~2009年我国InGaN芯片市场销售额变化
图5-8：我国氮化镓产业布局
图5-9：2009年厦门三安产品销售区域统计
图5-10：晶能光电 InGaN产品基本结构
图6-1：2005~2008年国内主要外延企业MOCVD设备利用率
图6-2：沈阳科仪高真空MOCVD型外延系统
图6-3：中电48所生产的GaN MOCVD设备
图6-4：青岛杰生电气生产的GaN MOCVD设备
图6-6：英国Thomas Swan公司的MOCVD设备
图6-7：沈阳科仪分子束外延（MBE）设备
图6-8：Omicron MULTIPROBE 2''和４''晶圆MBE设备
图6-9：OxfordV100MBE 设备
图6-10：等离子体刻蚀原理示意图
图6-11：埃德万斯双离子束刻蚀系统
图6-12：中科院微电子研究所生产的刻蚀设备
图6-13：德国SENTECH的刻蚀设备
图6-14：2006~2009年国内氮化镓芯片用蓝宝石衬底用量
图6-15：蓝宝石衬底主要厂商区域分布图
图6-16：哈尔滨工大奥瑞德产品
图6-17：不同荧光粉种类的发光效率
图6-18：白光LED主要是实现方式
图6-19：大连路明发光科技LMS系列荧光粉
图6-20：北京中村宇极科技生产LED荧光粉粉末
图7-1：我国七大半导体照明产业基地及主要企业

表1-1：GaN主要应用领域以及终端产品
表1-2：GaN光电探测器类型比较
表2-1：美国半导体照明发展蓝图
表2-2：美国SSL计划重点投资项目
表2-3：美国SSL计划支持的纳米技术研究项目
表2-4：固态照明灯具的相关色温范围列表
表2-5：A类产品个别规范即效能目标一览表
表2-6：能源之星固态灯具标准对各项性能特征规范之参考标准表
表2-7：日本21世纪半导体照明主要研究领域
表2-8：欧盟“彩虹计划”研究成果
表2-9：中国LED技术重点发展方向
表2-10：中国LED主要生产设备攻关及产业化目标
表2-11：中国半导体照明发展蓝图
表2-12：2009年度半导体照明重大课题方向
表3-1：纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性比较
表3-2：目前GaN单晶生长方法对比
表3-3：制备GaN薄膜的几种主要方法、监测系统及应用范围的比较
表3-4：2009年国内GaN基LED产业化主要技术指标
表4-1：全球氮化镓主要企业
表4-2：2009年主要类型白光LED价格
表4-3：不同类型灯与LED灯的比较
表4-4：白光LED与其他光源特性比较
表4-5 三种光源全寿命周期耗能统计
表4-6：LED 在汽车上的应用
表4-7：Cree产品品种及性能统计
表4-8：nichia产品品种及性能统计
表4-9：首尔半导体产品品种及应用领域
表4-10：丰田合成产品品种及应用领域
表4-11：美国SemiLEDs 产品及性能统计
表5-1：我国LED产业链个环节主要厂商和产量（截至到2009年底）
表5-2：2006~2009年国内GaN封装量、芯片产量及芯片国产率
表5-3：我国氮化镓产业链
表5-4：我国氮化镓企业统计
表5-5：上海蓝宝光电InGaN产品品种及性能
表5-6：厦门三安InGaN产品品种及性能
表5-7：大连路美 InGaN产品品种及性能
表5-8：晶能光电 InGaN产品品种及性能
表6-1：各主要MOCVD企业技术特点
表6-2：MOCVD设备订购情况（截止到2008年底）
表6-3：国内MOCVD研发及相关机构统计
表6-4：沈阳科仪高真空MOCVD产品说明
表6-5：适用于半导体化合物材料的AIXTRON MOCVD设备统计
表6-6：Veeco的TurboDisc K300 GaN MOCVD 系统
表6-7：Veeco的分子束外延系统
表6-8：三种常见的干法刻蚀比较
表6-8：SAMCO化合物半导体刻蚀设备
表6-9：牛津仪器等离子设备
表6-10：LED衬底材料主要生产企业
表6-11：LED衬底材料主要生产企业
表6-12：国内外蓝宝石衬底材料主要厂商
表6-13：Rubicon蓝宝石衬底产品规格
表6-14：Maicom公司蓝宝石产品规格
表6-15：哈尔滨工大奥瑞德产品质量参数
表6-16：天津塞法2英寸蓝宝石晶片质量指标
表6-17：云南省玉溪蓝晶蓝宝石晶片质量指标
表6-18：北京天科合达产品品种及性能指标
表6-19：白光LED实现方式
表6-20：白光LED的制作方法
表6-21：主要LED荧光粉品种性能与存在问题
表6-22：常见硅酸盐荧光粉
表6-23：主要几种荧光粉类型比较
表6-24：厦门量子星产品性能指标
表6-25：大连路明发光科技公司的LMY系列白光LED粉
表6-26：北京中村宇极科技LED荧光粉产品
表7-1： 我国LED四大分布区域概况
表7-2：GaN基LED重点投资项目分析