报告简介

　　半导体照明器件的核心是发光二极管（LED），由衬底材料、发光材料、光转换材料和封装材料等组成。在LED外延片生长方面，不同的衬底材料，需要不同的晶圆生长技术、芯片加工技术和封装技术，因此可以说，在一定程度上衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
　　目前，只能通过外延生长技术的变更和器件加工制程的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓器件研究的衬底材料比较多，商品化的氮化镓LED大多采用的是蓝宝石和碳化硅衬底，这两种衬底材料的技术主要掌握在日美等发达国家。最近，Cree开始转向在4"平台上生产SiC基GaN LED。目前只有少数公司生产GaN 衬底，价格昂贵，很难批量生产。蓝宝石衬底材料有着本身晶格差异缺陷，SiC衬底材料的价格较高。纵观整个衬底材料市场，目前仍以蓝宝石衬底和SiC衬底为主，预计未来市场也将不断变化。
　　本报告从全球及国内LED产业现状及发展的介绍开始，延伸到LED用衬底材料，详细论述各类衬底材料的分类及应用、市场需求及发展变化、生产工艺技术及发展趋势、国内外主要生产企业情况等调研及分析，并对衬底材料的需求环节——LED外延片进行阐述，希望能够对关注本项目发展的企业及投资者提供帮助。

报告目录

第一章 引言

第二章 半导体照明（LED）产业概述
2.1 半导体照明（LED）产业背景环境
2.2 LED 产业链主要产品、分类及应用
2.3 半导体照明产业链的各个重要环节及其特点
2.3.1 半导体照明产业概述
2.3.2上游环节产业链
2.3.3 中游环节（芯片制备）产业链
2.3.4 下游环节（封装和应用）产业链
2.3.5 全国主要半导体产业基地及潜力点
2.4 全球及我国LED 产业现状与发展
2.4.1 全球半导体照明产业格局现状及发展
2.4.2 全球半导体照明产业重点区域及企业现状
2.5 中国LED 产业现状与发展
2.5.1 中国半导体照明产业重点区域发展现状及格局
2.5.2 中国LED产业重点企业及发展
2.5.3 中国LED产业地位
2.6 中国LED市场现状
2.6.1 中国LED市场地位与现状
2.6.2 中国LED外延及芯片环节现状分析
2.6.3 中国LED封装环节现状分析
2.6.4 中国LED应用领域现状分析

第三章 LED用衬底材料概述
3.1 衬底材料的类型及在LED产品中的作用
3.2 衬底材料的物理特性比较
3.3 LED用衬底材料相关政策资源分析
3.4 LED用衬底材料相关产业分析

第四章 蓝宝石篇
4.1 蓝宝石衬底概述
4.1.1 蓝宝石衬底概念
4.1.2 蓝宝石单晶晶体物理性能
4.1.3 蓝宝石衬底主要类型和应用领域
4.1.4 蓝宝石衬底主要技术参数及工艺路线
4.1.5 蓝宝石衬底标准
4.2 国内外蓝宝石衬底行业现状与发展
4.2.1 国外行业发展现状与企业介绍
4.2.2 国外企业及其产品简介
4.2.3 国内行业发展现状与差距
4.2.4 国内主要蓝宝石单晶生产企业简介
4.3 国内外市场对蓝宝石衬底的需求分析
4.3.1 我国发光二极管对蓝宝石衬底的需求分析
4.3.2 我国氮化镓产业现状及其对蓝宝石衬底的需求分析
4.3.4 蓝宝石材料在军用领域现状及蓝宝石衬底的需求分析
4.4 蓝宝石衬底生产技术分析
4.4.1 目前蓝宝石单晶主要生长技术分析
4.4.3 国内外主要技术发展趋势

第五章 碳化硅篇
5.1 碳化硅衬底概述
5.1.1 碳化硅衬底概念
5.1.2 碳化硅性质
5.1.3 碳化硅主要类型及应用领域
5.1.4 碳化硅衬底标准
5.2 国内外碳化硅衬底产业及市场分析
5.2.1 国外SiC晶片市场分析
5.2.2 国外企业及其产品介绍
5.2.3 国内SiC晶片生产及需求分析
5.2.4 国内SiC晶片技术发展趋势
5.2.4 国内研发、生产企业及其产品简介
5.3 国内外碳化硅衬底行业的需求分析
5.3.1 国内市场对碳化硅衬底的需求分析
5.3.2 军事领域对碳化硅衬底的需求分析
5.4 碳化硅衬底技术分析
5.4.1 国外碳化硅技术现状分析
5.4.2 国内碳化硅生产技术与研究现状

第六章 硅衬底篇
6.1 硅衬底概述
6.1.1 硅衬底概念
6.1.2 硅衬底材料的优势
6.1.3 部分涉及单晶硅及硅抛光片国家及SEMI标准
6.2 国内硅衬底材料行业现状与发展趋势
6.2.1 国内单晶硅主要生产现状
6.2.2 国内单晶硅抛光片主要生产现状
6.2.3 国内主要单晶硅及抛光片生产企业介绍
6.3 国内外市场对硅衬底材料市场的需求
6.3.1 LED产业对硅衬底材料的需求潜力分析
6.3.2 硅衬底材料在其他新兴领域的需求
6.4 国内硅衬底生产技术分析
6.4.1 目前国内单晶硅生长技术分析
6.4.2 目前国内单晶硅抛光片技术分析
6.4.3 近年来国内硅衬底上生长器件现状

第七章 砷化镓篇
7.1 砷化镓材料概述
7.1.1 砷化镓的概念
7.1.2 砷化镓分类
7.1.3 砷化镓生长方法概述
7.2 国内外砷化镓材料的发展
7.2.1 境外砷化镓材料的发展
7.2.2 境外砷化镓材料市场的发展
7.2.2 境外砷化镓企业的现状与发展
7.2.3 国内砷化镓材料的现状及发展
7.2.4 国内砷化镓企业的现状
7.3 砷化镓外延片的加工
7.3.1 砷化镓外延片的工艺法
7.3.2 LED使用中对砷化镓外延材料的性能要求

第八章　其他衬底材料
8.1 氧化锌
8.1.1 氧化锌晶体概述
8.1.2 氧化锌晶体应用及发展
8.2 氮化镓
8.2.1 氮化镓晶体概述
8.2.2 氮化镓晶体应用及发展
8.3 硼化锆
8.3.1 硼化锆晶体概述
8.3.2 硼化锆晶体应用及发展
8.4 金属合金
8.4.1 金属合金衬底概述
8.4.2 金属合金衬底应用及发展
8.5 其他晶体材料
8.5.1　镁铝尖晶石
8.5.2　LiAlO2和LiGaO2

第九章 LED外延片环节及衬底材料对外延片环节发展的作用
9.1 LED外延片环节生产现状及发展
9.1.1 境外LED外延片环节的生产
9.1.2 国内LED外延片环节的生产及存在的问题
9.2 衬底材料在LED外延片环节中的作用
9.3 LED衬底材料发展对外延片环节的发展的作用
9.3.1 境外LED外延片环节的发展
9.3.2 国内LED外延片环节的发展
9.4 全球LED外延片环节对衬底材料的需求企业介绍
9.4.1 境外企业介绍
8.4.2 国内企业介绍

第十章 对我国发展LED用衬底材料带动作用分析及建议
10.1 积极部署衬底材料产业发展布局将有效打开LED上游产业环节
10.2 LED衬底材料的种类随着GaN器件的发展而逐渐发展起来
10.3 发展国内外延片环节的重要力量
10.4 有效带动周边领域的发展
10.5 重视相关设备及配套材料的开发

报告中图表目录:
图2-1：LED主要产品构成图
图2-2：LED工序
图2-3：LED各产业环节
图2-4：LED上游产业环节
图2-5：中游芯片产业环节
图2-6：下游封装产业环节
图2-7：下游LED应用产品环节
图2-8：七大产业基地分布图
图2-9：我国LED产业分布
图2-10：2001~2012年全球LED市场展望
图2-11：2006~2009年我国LED芯片市场销售情况
图2-12 我国2000年~2009年LED封装产量变化
图2-13：我国2008年高亮LED 应用市场规模
图2-14：2009年我国LED应用市场规模
图2-15：2009年我国LED 应用市场规模格局
图3-1：LED芯片基本结构
图4-1：蓝宝石衬底材料技术工艺路线
图4-2：蓝宝石衬底主要厂商区域分布图
图4-3：2003~2009年国内氮化镓芯片产能统计
图4-4：2006~2009年国内氮化镓芯片用蓝宝石衬底用量
图5-1：全球SiC市场区域分布比例
图5-2：全球SiC产业布局
图5-3：SiC市场占有率
图6-1：硅衬底材料产品简单生产过程
图6-2：2001-2009国内硅单晶总产量增长率变化图
图6-3：2009年国内硅单晶品种分布比例
图6-4：2001～2009年国内太阳能用硅单晶占硅单晶总量的百分比
图6-5：2009年国内主要硅抛光片产品结构
图6-6：CZ法生产单晶硅生产工艺路线图
图6-7：CZ法生产单晶硅生产过程
图6-8：FZ法生产单晶硅生产过程
图6-9：硅抛光片生产工艺流程
图7-1：早期GaAs晶体生长方法
图7-2：2006~2009年世界砷化镓用量统计及预测
图7-3：2006~2009年世界砷化镓市场发展
图7-4：2006~2009年日本砷化镓需求的发展
图7-5：国内砷化镓单晶生产线工艺方法所占比例
图7-6 2009年国内GaAs产品内销与出口比重
图7-7：液相外延装置的示意图
图7-8：MBE装置的示意图
图7-9：分子束外延（MBE）设备
图7-10：MOCVD外延装置的示意图
图8-1：半导体化和物材料的禁带宽度和晶格常数的关系
图8-2：ZrB2晶体结构示意图
图8-3：采用金属及蓝宝石两种衬底的GaN LED器件原理图

表2-1：我国LED四大分布区域及其主要特点
表2-2：我国LED四大分布区域概况
表2-3：我国LED产业链个环节主要厂商和产能（截至到2009年底）
表3-1：各类外延衬底基片材料主要物理性能对比
表4-1：蓝宝石单晶片基础物理参数
表4-2：蓝宝石产品类型
表4-3：2英寸蓝宝石单晶片规格
表4-4：蓝宝石衬底相关标准
表4-5： LED衬底材料主要生产企业
表4-6：2006~2009年国内GaN封装量、芯片产量及芯片国产率
表4-7：蓝宝石单晶制备方法统计
表5-1：SiC衬底材料与硅及GaAs比较
表5-2：SiC体单晶的生长技术比较
表5-3：国际SiC产品的水平
表6-1：2001-2009年国内硅单晶生产量状况
表6-2：2003～2009年国内不同规格尺寸硅抛光片产量
表7-1：砷化镓基本性能参数
表7-2：GaAs晶体生长的各种方法的分类
表7-3：GaAs单晶各种生长工艺方法优缺点的比较
表7-4：全球砷化镓产业链构成
表7-5：国内主要砷化镓单晶生产厂家生产情况
表7-6：国内砷化镓单晶材料厂家的生产开发、生产情况
表7-7：砷化镓的外延片特性
表8-1：纤锌矿GaN和闪锌矿GaN的特性比较