报告简介

　  砷化镓（GaAs）半导体材料与传统的硅材料相比，它具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性，电子迁移率约为硅材料的5.7倍。因此，广泛应用于高频及无线通讯中制做IC器件。所制出的这种高频、高速、防辐射的高温器件，通常应用于激光器、无线通信、光纤通信、移动通信、GPS全球导航等领域。砷化镓除在I C产品应用以外，也可加入其它元素改变能带隙及其产生光电反应，达到所对应的光波波长，制作成光电元件。还可与太阳能结合制备砷化镓太阳能电池。
　　全报告共分为 六 部分，分别从砷化镓产品的特点、品种、市场，世界及我国GaAs材料生产厂家、发展前景、市场现状、下游生产企业现状、技术发展趋势、发展GaAs材料产业的建议等方面，均进行了全面、详细的综述。
　　报告编写的内容、数据、资料等方面，是中国电子材料行业协会根据最新开展行业、市场调研情况及数据编写而成，客观反应了国内外砷化镓行业情况。希望能对关注及有意发展GaAs材料的企业及个人提供参考帮助。

报告目录

第一章 砷化镓概述
1.1 砷化镓产品介绍
1.2 砷化镓材料的主要特性
1.3 砷化镓材料与硅材料的特性对比
1.4 砷化镓应用
1.5 砷化镓材料的分类
1.5.1 按照应用领域不同分类
1.5.2 按照工艺方法不同的分类

第二章 砷化镓单晶、芯片以及外延片工艺技术
2.1 砷化镓单晶制备工艺法概述
2.1.1 单晶制备方法之比较
2.1.2 水平布里奇曼法（HB）
2.1.3 液封直拉法（LEC）
2.1.4 温度梯度凝固法（VGF）
2.1.5 蒸气压控制直拉法（VCZ）
2.1.6 国内外技术质量水平对照
2.2 砷化镓芯片的加工
2.3 砷化镓外延片的加工
2.3.1 砷化镓外延片的工艺法
2.3.2 砷化镓外延材料的性能要求

第三章 砷化镓市场及产业分析
3.1 砷化镓产业关联度分析
3.1.1 集成电路产业
3.1.2 太阳能产业
3.1.3 半导体照明产业
3.2 国际市场分析
3.2.1 国际市场概述
3.2.2 全球砷化镓市场规模
3.4 全球产业总况
3.5 境外砷化镓单晶材料产业状况及生产
3.5.1 日本
3.5.2 美国
3.5.3 台湾

第四章 国内砷化镓材料技术的发展
4.1 国内砷化镓总体情况
4.2 国内砷化镓出口情况
4.3 国内砷化镓抛光片生产情况
4.4 国内砷化镓企业生产情况
4.5 国内砷化镓单晶材料产业及企业概况
4.6 国内砷化镓材料主要生产厂家的情况
4.7 国内砷化镓材料技术现状及发展趋势

第五章 砷化镓器件及电路市场及产业
5.1 砷化镓器件及电路市场
5.2 砷化镓在集成电路领域的应用及市场现状
5.2.1 砷化镓集成电路器件市场总况
5.2.2 无线通讯市场需求
5.2.3 光通讯市场需求
5.2.4 无线局域网（WLAN）市场需求
5.2.5 汽车电子产品市场需求
5.2.6 军事电子产品市场需求
5.3 境外砷化镓集成电路产业现状
5.3.1 日、美砷化镓集成电路生产厂家
5.3.2 台湾砷化镓集成电路生产厂家
5.3.3 国内砷化镓集成电路生产厂家
5.4 砷化镓在光电子领域的应用及市场现状
5.4.1 砷化镓在LED方面应用
5.4.2 我国砷化镓在LED方面市场
5.4.3 我国LED的主要生产厂家情况
5.5 砷化镓太阳能生产
5.5.1 砷化镓太阳能概述
5.5.2 砷化镓太阳能技术发展

第六章 中国砷化镓材料产业发展建议及战略发展思路
6.1 发展砷化镓材料政策资源
6.2 砷化镓材料产业发展特点
6.3 砷化镓材料产业特点
6.4 发展砷化镓材料产业的战略思路

报告中图表目录:
图1-1：化合物半导体材料主要应用领域
图1-2：砷化镓单晶产品
图1-3：GaAs应用领域
图1-4：砷化镓器件的应用领域
图2-1：早期GaAs晶体生长方法
图2-2：HB法设各及炉温分布示意图
图2-3：LEC法单晶生长示意图
图2-4：VGF法装置示意图
图2-5：砷化镓单芯片切磨抛工艺流程图
图2-6：液相外延装置的示意图
图2-7：MBE装置的示意图
图2-8：分子束外延（MBE）设备
图2-9：MOCVD外延装置的示意图
图3-1：砷化镓IC器件制备过程
图3-2：2007~2012年我国集成电路市场需求预测
图3-3：2007~2012年太阳能电池发展预测（单位：GW）
图3-4：白光照明产业链
图3-5：2010~2013年间全球GaAs市场发展预测
图3-6：2006~2009年世界砷化镓用量统计及预测
图3-7：2006~2009年世界砷化镓市场发展
图3-8：2006~2009年日本砷化镓需求的发展
图4-1：砷化镓单晶生产线工艺方法所占比例
图4-2：2009年国内GaAs产品内销与出口比重
图5-1：GaAs市场链
图5-2：1GbE与10GbE市场占有率
图5-3：WLAN 802.11技术演进
图5-4：2004~2010年间全球WLAN芯片市场产值
图5-5：2007~2012年间我国WLAN市场产值
图5-6：2006~2010年间我国汽车雷达系统产量
图5-7：我国高亮度LED的应用市场结构
图5-8：2009年我国LED应用市场规模统计
图5-9：2009年我国LED 应用市场格局
图5-10：2010~2015年间全球三结太阳能电池发电容量估算
图5-11：砷化镓异质结太阳能电池结构
图5-12：砷化镓异质结太阳能电池制备过程

表1-1：砷化镓晶体特性
表1-2：GaAs晶体的物理特性
表1-3：GaAs材料与Si材料的特性比较
表1-4：砷化镓半导体的应用情况
表1-5：砷化镓在电子系统中的应用
表1-6：由砷化镓芯片制作的主要电子器件和光电子器件
表1-7：GaAs晶体生长的各种方法的分类
表2-1：GaAs单晶各种生长工艺方法优缺点的比较
表2-2：国内外技术水平对照
表2-3：砷化镓芯片制备主要工艺参数
表2-4：砷化镓的外延片特性
表2-5：GaAsIC技术与要求
表3-1：2005~2010年国内光伏发电装机预测 （MWp）
表3-2：全球砷化镓产业链构成
表3-3：国外GaAs单晶、外延片的主要厂家采用工艺法的情况
表4-1：2009年国内GaAs抛光片产值统计
表4-2：国内主要砷化镓单晶生产厂家生产情况
表4-3：国内砷化镓单晶材料厂家的生产开发、生产情况
表5-1：汽车雷达系统市场规模
表5-2：日、美砷化镓IC生产厂家现状
表5-3：台湾砷化镓产业链条
表5-4：台湾砷化镓IC生产厂家概况
表5-5：LED 产品分类
表5-6：可见光LED依发光颜色分类
表5-7：我国LED产业链个环节主要厂商和产量（截至到2009年底）
表5-8：砷化镓单结太阳能电池的结构和能带示意图
表5-9：Si与GaAs太阳能电池之比较
表5-10：聚光太阳电池效率统计
表5-11：聚光太阳电池效率成本预估